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    硫化鍺晶體

    簡要描述:硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide)
    晶體尺寸:~10毫米
    電學性能:半導體
    晶體結構:斜方晶系
    晶胞參數:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90&#176;
    晶體類型:合成
    晶體純度:>99.995%

    • 更新時間:2022-05-12
    • 產品型號:
    • 廠商性質:生產廠家
    • 訪  問  量:634

    詳細介紹

    硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide)
    晶體尺寸:~10毫米
    電學性能:半導體
    晶體結構:斜方晶系
    晶胞參數:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
    晶體類型:合成
    晶體純度:>99.995%


    X-ray diffraction on a single crystal GeS aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h00) with h = 2, 4, 6, 8


    Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GeS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


    Stoichiometric analysis of a single crystal GeS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


    Raman spectrum of a single crystal GeS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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